一种半导体晶圆加工用单晶硅炉
授权
摘要

本实用新型公开了一种半导体晶圆加工用单晶硅炉,包括金属上盖和硅炉炉体,所述金属上盖安装固定在硅炉炉体的上端位置上,所述金属上盖的上端中间设置有金属顶柱,通过套接金属环、固定螺钉和锥形外壳所组成的锥形导向罩可以很好的固定外部单晶硅棒,在插入外部单晶硅棒的时候,锥形导向罩通过倒装的锥形外壳,从而便于插入,而插入之后,通过下发收紧的圆孔,使得可以很好的限制,这样在转动的时候,可以很好的防止单晶硅棒的剧烈晃动,而固定时,因套接金属环通过固定螺钉连接在绝缘装置上,这样可以很好的固定安装拆卸,从而便于人员根据外部单晶硅棒进行更换使用,使得在使用的时候更加便利。

基本信息
专利标题 :
一种半导体晶圆加工用单晶硅炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921555597.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-18
授权号 :
CN210916350U
授权日 :
2020-07-03
发明人 :
王浩明陈永萍张莉张广德
申请人 :
苏州子山半导体科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市工业园区唯新路69号一能科技园5幢102室
代理机构 :
苏州国卓知识产权代理有限公司
代理人 :
薛芳芳
优先权 :
CN201921555597.0
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B15/32  C30B15/30  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2020-07-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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