半导体晶圆的评价方法、半导体晶圆的分选方法及器件的制造方...
公开
摘要

本发明涉及一种评价方法,包含以下工序:获得镜面研磨晶圆的整面的厚度方向的形状测量数据;每隔一定的旋转角度在一定间距的点上对晶圆的直径方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分而获得微分分布,比较获得的微分分布,确定切片切断方向;每隔与所确定的切片切断方向即y方向正交的x方向的一定的间隔,以一定的间距对y方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分,获得x‑y网格数据;在y方向上,根据x‑y网格数据,求出包含晶圆的中心的中间部区域中的最大微分值、及与中间部区域相比更靠外侧的上端侧区域及下端侧区域的最大微分值;以及根据各最大微分值,判断有无在器件制造工序中产生缺陷的可能性。由此,提供一种能够有效地评价因切片工序引起的起伏形状的方法。

基本信息
专利标题 :
半导体晶圆的评价方法、半导体晶圆的分选方法及器件的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114631171A
申请号 :
CN202080075496.2
公开(公告)日 :
2022-06-14
申请日 :
2020-09-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
铃木顺也佐藤正和
申请人 :
信越半导体株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 :
张晶
优先权 :
CN202080075496.2
主分类号 :
H01L21/304
IPC分类号 :
H01L21/304  H01L21/66  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理,例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-06-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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