本公开具体提供了一种半导体器件及其加工方法、晶圆的处理方法，该半导体器件包括晶圆。晶圆具有正面、背面及侧面，正面和背面分别处于晶圆的两侧。晶圆的侧面具有弧形延展部和竖直延展部，弧形延展部自晶圆的正面延伸出，竖直延展部同时垂直于晶圆的正面和晶圆的背面。该加工方法包括：执行晶圆处理工艺后，对晶圆边缘进行研磨处理，以形成弧形延展部和竖直延展部，对晶圆背面进行研磨处理，以使晶圆的厚度减小至裸片的厚度。基于对晶圆边缘的研磨处理，本公开能够有效降低甚至避免晶圆边缘破损问题发生的可能性，从而有效地保护了待进行封装的晶圆。因此，本公开能够极大地提高半导体器件的良率，从而明显降低了半导体器件的生产成本。