校平半导体晶圆的方法及装置，及平坦度改进的半导体晶圆

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种用于校平半导体晶圆的方法，包括下列步骤：a)描述该半导体晶圆特征的参数的与位置相关的测量，以便在该半导体晶圆的整个表面上确定该参数的与位置相关的值，b)在蚀刻介质作用及该整个表面同时照明的情况下，对该半导体晶圆的整个表面进行蚀刻处理，该蚀刻处理的材料—去除速率取决于该半导体晶圆表面的光强，并且以通过与位置相关的材料—去除速率降低了步骤a)中所测量的该参数的与位置相关的诸值之间的差异的方式、以与位置相关的方式预设该光强。本发明还涉及平坦度及纳米构形改善的半导体晶圆、具有改善的层厚均匀性的SOI晶圆及实施本发明方法的装置。

基本信息

专利标题：

校平半导体晶圆的方法及装置，及平坦度改进的半导体晶圆

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1773682A

申请号：

CN200510120393.0

公开（公告）日：

2006-05-17

申请日：

2005-11-11

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

特蕾西娅·鲍尔罗伯特·赫茨儿安德烈亚斯·许贝尔赖因霍尔德·瓦利希

申请人：

硅电子股份公司

申请人地址：

德国慕尼黑

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王英

优先权：

CN200510120393.0

主分类号：

H01L21/306

IPC分类号：

H01L21/306