晶圆上器件的测试方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种晶圆上器件的测试方法,包括:根据晶圆上的多个器件的个数设置工位,每个器件对应一个工位;根据器件的引脚制作探针卡,探针卡包括若干个探针,每个探针对应一个引脚;设置测试程序,根据工位的数量设置通道,每个工位对应一个通道,对多个工位同时进行测试,探针在同一个器件的引脚上获取的测试数据位于同一个通道;检测测试数据,如果测试数据不合格,则通过该测试数据对应的通道查询到对应的工位,对测试失败的工位进行标记。在本发明提供的晶圆上器件的测试方法中,可以同时对晶圆上的多个器件进行测试,节省了测试时间,减少了测试成本,提高量产的效率。

基本信息
专利标题 :
晶圆上器件的测试方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114551270A
申请号 :
CN202210190798.5
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-02-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴一余琨
申请人 :
上海华岭集成电路技术股份有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区郭守敬路351号2号楼6楼
代理机构 :
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 :
罗磊
优先权 :
CN202210190798.5
主分类号 :
H01L21/66
IPC分类号 :
H01L21/66  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20220228
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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