晶圆漏电流测试方法、装置、晶圆级测试仪及存储介质
授权
摘要
本申请涉及一种晶圆漏电流测试方法、装置、晶圆级测试仪及存储介质，所述方法应用于晶圆，所述晶圆包括多个待测量单元，所述方法包括：获取所述晶圆上每个所述待测量单元的漏电流；根据所有所述待测量单元的漏电流，获取漏电流中位数及漏电流第一统计特征值；根据所述漏电流中位数及所述漏电流第一统计特征值，获取漏电流偏移量；根据所述漏电流中位数及所述漏电流偏移量，获取漏电流测量阈值；根据所述漏电流测量阈值筛选所述待测量单元。本申请实施例提高晶圆中芯片筛选的准确性和覆盖率，提升芯片的可靠性，降低芯片使用过程中的不良率。
基本信息
专利标题 ：
晶圆漏电流测试方法、装置、晶圆级测试仪及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113009321A
申请号 ：
CN202110242095.8
公开（公告）日 ：
2021-06-22
申请日 ：
2021-03-04
授权号 ：
CN113009321B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
李创锋
申请人 ：
深圳市金泰克半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区龙田街道长方照明工业厂区厂房B一、四层
代理机构 ：
深圳智汇远见知识产权代理有限公司
代理人 ：
李雪鹃
优先权 ：
CN202110242095.8
主分类号 ：
G01R31/28
IPC分类号 ：
G01R31/28
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试，例如用信号故障寻测器
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-07-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/28
申请日 : 20210304
申请日 : 20210304
2021-06-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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