半导体结构的测量方法、系统、介质和电子设备

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摘要

本发明实施例提供了一种半导体结构的测量方法、系统、介质和电子设备，待测半导体结构设置在有源区，对照半导体结构设置在切割道区；待测半导体结构包括第一凹槽，所述第一凹槽顶部具有第一开口宽度；对照半导体结构包括第二凹槽，所述第二凹槽顶部具有第二开口宽度；测量方法包括：对所述待测半导体结构和所述对照半导体结构分别建模，对应得到第一模型和第二模型；基于严格耦合波理论分别对第一模型和第二模型进行同步寻值；将同步寻值结果中同时满足限定条件的解作为第一模型和第二模型的解，并根据第一模型的解获取所述待测半导体结构的光学关键尺寸。本发明的技术方案可以较为精确地测量半导体结构的光学关键尺寸。

基本信息

专利标题：

半导体结构的测量方法、系统、介质和电子设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113035735A

申请号：

CN202110227148.9

公开（公告）日：

2021-06-25

申请日：

2021-03-01

授权号：

CN113035735B

授权日：

2022-05-27

发明人：

黄鑫王士欣

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司

代理人：

孙宝海

优先权：

CN202110227148.9

主分类号：

H01L21/66

IPC分类号：

H01L21/66