集成电路的保护结构
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明公开了一种集成电路输入的过压保护结构，它由集成电路输入端与地线之间并列设置的矩形平面放电间隙和二氧化硅介质电容器组成。这种结构与现有集成电路工艺相容，特别适用于CMOS/SOS集成电路，具有保护能力强以及不易烧毁等优点。
基本信息
专利标题 ：
集成电路的保护结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1039328A
申请号 ：
CN88104274.9
公开（公告）日 ：
1990-01-31
申请日 ：
1988-07-14
授权号 ：
CN1021942C
授权日 ：
1993-08-25
发明人 ：
刘忠立刘荣寰和致经
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
卢纪
优先权 ：
CN88104274.9
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/62
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
1995-09-06 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-08-25 ：
授权
1990-01-31 ：
公开
1988-12-28 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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