SOI/CMOS集成电路输出缓冲器的ESD保护结构
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种SOI/CMOS集成电路输出缓冲器的ESD保护结构，特征是PMOS管源端通过半导体金属铝连接正电源VDD，NMOS管源端通过金属铝连接负电源GND；PMOS管漏端与NMOS管漏端通过金属铝连接形成输出连接端；正电源VDD通过金属铝连接P-型衬底栅控二极管的阴极，负电源GND通过金属铝连接N-型衬底栅控二极管的阳极；P-型衬底栅控二极管的阳极与N-型衬底栅控二极管的阴极通过金属铝连接形成另一输出连接端，连接端同时与输出缓冲器的输出压焊点通过金属铝连接。本实用新型结构简单，在SOI/CMOS集成电路中占用版图面积小，使用方便；使用后可以将SOI/CMOS集成电路输出引脚的ESD耐受水平提高至2000v(HBM模型)或以上水平。
基本信息
专利标题 ：
SOI/CMOS集成电路输出缓冲器的ESD保护结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820185406.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-09-04
授权号 ：
CN201252102Y
授权日 ：
2009-06-03
发明人 ：
薛忠杰罗静
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
214116江苏省无锡市惠河路5号208信箱科研计划处
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所
代理人 ：
殷红梅
优先权 ：
CN200820185406.1
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L23/522 H01L23/60 H02H9/00 H01L27/02
法律状态
2013-11-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101536143288
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2008201854061
申请日 : 20080904
授权公告日 : 20090603
终止日期 : 20120904
号牌文件序号 : 101536143288
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2008201854061
申请日 : 20080904
授权公告日 : 20090603
终止日期 : 20120904
2009-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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