半导体集成电路中的写入信号输入缓冲器
专利权的终止
摘要
一种半导体存储装置的诸多输入缓冲器中的一种写入信号输入缓冲器，供接收芯片外部提供的写入启动信号。本发明提供的写入信号输入缓冲器包括：一个输入级，供接收芯片外部提供的写入启动信号；一个逻辑装置，用以根据输入级的输出信号产生作为相应信号的写入驱动信号；和一个锁存部分供锁存逻辑装置的输出信号；此外本发明的缓冲器还包括由数据输出级的驱动信号在其锁存通路上控制的开关装置。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路中的写入信号输入缓冲器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1096609A
申请号 ：
CN94103892.0
公开（公告）日 ：
1994-12-21
申请日 ：
1994-04-08
授权号 ：
CN1041136C
授权日 ：
1998-12-09
发明人 ：
崔勋
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
马铁良
优先权 ：
CN94103892.0
主分类号 ：
G11C7/00
IPC分类号 ：
G11C7/00 H01L27/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/00
数字存储器信息的写入或读出装置
法律状态
2014-05-28 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101582507877
IPC(主分类) : G11C 7/00
专利号 : ZL941038920
申请日 : 19940408
授权公告日 : 19981209
终止日期 : 20130408
号牌文件序号 : 101582507877
IPC(主分类) : G11C 7/00
专利号 : ZL941038920
申请日 : 19940408
授权公告日 : 19981209
终止日期 : 20130408
1998-12-09 ：
授权
1996-02-28 ：
实质审查请求的生效
1994-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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