受管理存储器系统中的写入缓冲器控制
实质审查的生效
摘要
在接收到同步高速缓存命令后，检查SRAM写入缓冲器中的有效主机数据大小。如果有效数据大小大于预定值，那么基于单步传送程序将所述SRAM写入缓冲器中的有效主机数据直接刷新到开放MLC块中。然而，如果所述有效主机数据大小小于所述预定值，那么不将所述主机数据刷新到开放MLC块，而是刷新到临时存储位置中以满足同步高速缓存的命令的命令规范。所述主机数据维持在所述SRAM写入缓冲器中，所述SRAM写入缓冲器接收额外数据直到已满。一旦已满，就以单步将所述SRAM写入缓冲器中的所述主机数据传送到开放MLC块。如果所述写入缓冲器中的所述主机数据丢失，那么可从所述临时存储位置恢复所述主机数据。
基本信息
专利标题 ：
受管理存储器系统中的写入缓冲器控制
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114365097A
申请号 ：
CN201980100281.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2019-08-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谭华杨惠M·L·萨利
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN201980100281.9
主分类号 ：
G06F12/02
IPC分类号 ：
G06F12/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F12/00
安装在筛选装置之上的在存储器系统或体系结构内的存取、寻址或分配
G06F12/02
寻址或地址分配；地址的重新分配
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 12/02
申请日 : 20190827
申请日 : 20190827
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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