高频高线性输入缓冲器和高频高线性输入缓冲器差分电路
授权
摘要
高频高线性输入缓冲器和高频高线性输入缓冲器差分电路，涉及集成电路技术。本发明的高频高线性输入缓冲器包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和信号平移单元，第一MOS管的栅端作为缓冲器的输入端，第一MOS管的电流输出端作为缓冲器的输出端；第一MOS管的电流输入端连接第二MOS管的电流输出端，第一MOS管的电流输出端连接第三MOS管的电流输入端，第二MOS管的电流输入端连接第三MOS管的栅端，信号平移单元的输入端接缓冲器的输入端，信号平移单元的输出端接第二MOS管的栅端，第三MOS管的输出端接地，第二MOS管的电流输入端接有源偏置电流电路。本发明有效的提高了输入线性度和输出线性度。
基本信息
专利标题 ：
高频高线性输入缓冲器和高频高线性输入缓冲器差分电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112260681A
申请号 ：
CN202011152687.2
公开（公告）日 ：
2021-01-22
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
CN112260681B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
杨金达岑远军罗建
申请人 ：
成都华微电子科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层
代理机构 ：
成都惠迪专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘勋
优先权 ：
CN202011152687.2
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2022-03-29 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H03K 19/0185
变更事项 : 申请人
变更前 : 成都华微电子科技有限公司
变更后 : 成都华微电子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 610000 四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层
变更后 : 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区益州大道中段1800号1栋22-23层2201、2301号
变更事项 : 申请人
变更前 : 成都华微电子科技有限公司
变更后 : 成都华微电子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 610000 四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层
变更后 : 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区益州大道中段1800号1栋22-23层2201、2301号
2021-02-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 19/0185
申请日 : 20201026
申请日 : 20201026
2021-01-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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