高精度混合集成电路测试架隔离保护结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高精度混合集成电路测试架隔离保护结构，涉及电路测试辅助结构技术领域。该测试架隔离保护结构将单片机、测试芯片、继电器、隔离光耦和Handle接口集成在一块电路基板上，利用光耦实现测试架电源与地短路检测、测试架电源与待测芯片电源隔离，能够防止带电插拔损坏芯片，方便安装且增加使用效率，其所有模拟电源和数字电源、模拟地和数字地均采用光耦隔离，抑制共模干扰，避免一体化设计时产生的共模干扰，保证系统信号稳定以及整体工作正常，减小了系统的体积，降低成本提高效率，还可以测量芯片的电源和地是否短路，且电源和指令信号采用光耦隔离，防止串扰。
基本信息
专利标题 ：
高精度混合集成电路测试架隔离保护结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922222702.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-12
授权号 ：
CN211426752U
授权日 ：
2020-09-04
发明人 ：
肖国玲杨建平陈慧饶成明王波
申请人 ：
无锡职业技术学院
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区高浪西路1600号
代理机构 ：
无锡万里知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李翀
优先权 ：
CN201922222702.5
主分类号 ：
G01R31/52
IPC分类号 ：
G01R31/52 G01R31/40 G01R1/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/52
测试短路、泄漏电流或接地故障
法律状态
2020-09-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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