存储器器件的控制电路
公开
摘要
本公开涉及存储器器件的控制电路。一种电路包括：第一反相器、第二反相器、第一头部电路和第二头部电路。所述第一反相器被配置为将第一全局写入信号转换成发送到补码位线的第一本地写入信号。所述第二反相器被配置为将第二全局写入信号转换为发送到位线的第二本地写入信号。所述第一头部电路响应于写入使能信号和所述第二全局写入信号将所述第一反相器的电源端子与正参考电压源连接或断开。第二头部电路响应于写入使能信号和所述第一全局写入信号将所述第二反相器的电源端子与所述正参考电压源连接或断开。
基本信息
专利标题 ：
存储器器件的控制电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613401A
申请号 ：
CN202110136033.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-02-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
万和舟杨秀丽李培乐吴经纬
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司;台积电（中国）有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
朱亦林
优先权 ：
CN202110136033.9
主分类号 ：
G11C11/4074
IPC分类号 ：
G11C11/4074 G11C11/4094 G11C11/4096 G11C7/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/4074
电源或电压发生电路，例如，偏置电压发生器、衬底片电压发生器、后备电源、电源控制电路
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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