NMOS结构、制造方法及半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种NMOS结构、制造方法及半导体器件，所述制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干个鳍片结构；在鳍片结构表面形成栅氧层，并在鳍片结构之间沉积隔离层，在隔离层和所述鳍片结构的栅氧层上方形成栅极材料层；图形化栅极材料层进行，以形成若干个栅极线条，相邻的栅极线条之间形成栅极间隔槽，在所得结构表面形成侧墙隔离层；形成开口区；在开口区内部从下到上依次形成成核区层、高掺杂区层和覆盖区层，以形成源极或漏极。本发明的制造方法制得的NMOS结构提高源漏区应力并降低电阻，并有效减少源漏区出现狭缝和生长不均的问题。
基本信息
专利标题 ：
NMOS结构、制造方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334831A
申请号 ：
CN202111675397.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
武青青刘轶群徐振亚朱建军胡少坚
申请人 ：
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111675397.0
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L29/08 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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