高热稳定性的功率器件的封装方法
申请的撤回
摘要
高热稳定性的功率器件的封装方法，可用于制造具有高温度稳定性的功率器件和稳压二极管等半导体器件。与传统的封装方法相比，本发明的特征是：在芯片内充了一种高稳定性的、沸点(或熔点)一定的物质，或者也可以在芯片内部加一个有源热源。一旦芯片接通电源，芯片过热区域附近的液体便沸腾起来，迅速把热量传给芯片的其他部份，在微小的区域内形成了一个恒温器，从而获得了高温度稳定性的功率器件。
基本信息
专利标题 ：
高热稳定性的功率器件的封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85106736A
申请号 ：
CN85106736
公开（公告）日 ：
1986-02-10
申请日 ：
1985-09-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高光渤
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市东郊九龙山
代理机构 ：
北京工业大学专利代理事务所
代理人 ：
楼艮基
优先权 ：
CN85106736
主分类号 ：
H01L21/54
IPC分类号 ：
H01L21/54 H01L21/56 H01L23/28 H01L23/34
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/54
在容器中填料，例如气体填料
法律状态
1989-08-16 ：
申请的撤回
1986-02-10 ：
公开
1986-01-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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