埋层阻档式多孔硅氧化形成硅隔离结构的方法
视为撤回的专利申请
摘要
本发明属半导体集成电路工艺结构领域，是一种埋层阻挡式多孔硅氧化形成SOI结构的新工艺。主要步骤包括锑或砷扩散，在硅衬底上形成n型埋层阻挡层；P型外延；磷或砷离子注入，形成n型岛器件区；阳极化，使P型外延层转化为多孔硅；多孔硅氧化，形成SOI结构。本发明工艺简单，实施方便，获得的SOI结构平整，缺陷密度小，n型硅岛间的击穿电压大于200伏，适于制作各种类型的集成电路和半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
埋层阻档式多孔硅氧化形成硅隔离结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1040460A
申请号 ：
CN89106240.8
公开（公告）日 ：
1990-03-14
申请日 ：
1989-07-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄宜平汤庭鰲
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市邯郸路220号200433
代理机构 ：
复旦大学专利事务所
代理人 ：
陆飞
优先权 ：
CN89106240.8
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
1991-07-24 ：
视为撤回的专利申请
1990-03-14 ：
公开
1990-02-28 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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