成像器件、其制备方法、成像阵列及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种成像器件、其制备方法、成像阵列及其制备方法，该方法包括：提供量子点光敏材料；基于量子点光敏材料，形成层叠设置的光电二极管；其中，光电二极管包括至少一个第一二极管和至少两个第二二极管，第一二极管和第二二极管依次间隔设置；各第一二极管在第一方向电压下导通，各第二二极管在第二方向电压下导通；第一方向电压和第二方向电压分别为正向电压和反向电压中的一种。由此，该方法不需要焊接烟柱，避免了由烟柱引起的信号响应不均匀和盲元等问题；同时还降低了工序复杂度，减少制造成本。该方法制备的成像器件通过调制偏压实现两种探测模式的切换，简化了成像光路系统与后期软件处理过程，降低了像素损失率和对准偏差。
基本信息
专利标题 ：
成像器件、其制备方法、成像阵列及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551486A
申请号 ：
CN202210028630.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐鑫郝群陈梦璐张硕
申请人 ：
北京理工大学
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村南大街5号
代理机构 ：
北京开阳星知识产权代理有限公司
代理人 ：
王艳斌
优先权 ：
CN202210028630.4
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L31/0352
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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