RF MEMS器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供RF MEMS器件及其制备方法，所述RF MEMS器件包括：衬底，衬底的一侧设有集成电路；第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘设在集成电路上；第一金属块和第二金属块，第一金属块设在第一焊盘上，第二金属块设在第二焊盘上；绝缘层，绝缘层包覆第一焊盘、第二焊盘、第一金属块和第二金属块，并且第一金属块和第二金属块远离衬底一侧的表面未被绝缘层包覆；第一布线结构和第二布线结构，第一布线结构与第一金属块连接，第二布线结构与第二金属块连接；MEMS器件，第一布线结构和第二布线结构中的至少一个与MEMS器件连接。由此，可以实现集成电路与MEMS器件的互联，可以有效的减小互联带来的损耗。
基本信息
专利标题 ：
RF MEMS器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114524405A
申请号 ：
CN202210073412.2
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘泽文张玉龙
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄德海
优先权 ：
CN202210073412.2
主分类号 ：
B81B7/00
IPC分类号 ：
B81B7/00 B81B7/02 B81C1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81B 7/00
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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