半导体装置的制造方法
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摘要
提供一种半导体装置的制造方法、该方法中使用的粘合片以及根据该方法得到的半导体装置，上述半导体装置的制造方法可以防止由焊垫的污染引起无法进行引线接合，并且可以防止在基板、引线框或半导体元件等被粘物上产生翘曲，从而提高成品率且简化制造工序。本发明的特征在于包括如下工序：临时固定工序，通过粘合片(12)将半导体元件(13)临时固定在被粘物(11)上；和引线接合工序，不经过加热工序，在接合温度80～250℃的范围内进行引线接合，并且作为上述粘合片(12)，使用固化前的贮存弹性模量在80～250℃的温度范围内为1MPa以上，或在该温度范围内的任意温度下为1MPa以上的粘合片。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101103448A
申请号 ：
CN200680002255.5
公开（公告）日 ：
2008-01-09
申请日 ：
2006-02-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
三隅贞仁松村健
申请人 ：
日东电工株式会社
申请人地址 ：
日本大阪
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
樊卫民
优先权 ：
CN200680002255.5
主分类号 ：
H01L21/52
IPC分类号 ：
H01L21/52 C09J163/00 C09J133/00 H01L21/50 C09J161/04 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52
半导体在容器中的安装
法律状态
2009-03-25 ：
授权
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2008-01-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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