半导体装置和其制造方法
授权
摘要
一种用于制造一半导体装置的方法以及一种借此产生的半导体装置。例如且在无限制性下，此揭露内容的各种特点是提供一种用于制造一半导体装置的方法以及一种借此产生的半导体装置，其包括一不具有直通硅晶穿孔的中介件。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置和其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106170857A
申请号 ：
CN201680000787.9
公开（公告）日 ：
2016-11-30
申请日 ：
2016-03-17
授权号 ：
CN106170857B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
金东吉金吉翰杜文秋贝杰翰其王门翰东和金杜浑李吉和朴金文孙山南邱翰可提斯·斯文格
申请人 ：
艾马克科技公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
许静
优先权 ：
CN201680000787.9
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L21/50 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2018-04-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20160317
申请日 : 20160317
2016-11-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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