半导体装置和制造半导体装置的方法
公开
摘要
本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：层叠体，该层叠体包括层叠绝缘层和层叠导电层；单元插塞；连接接触结构；以及源极层，该源极层联接到单元插塞。单元插塞包括上部和下部，连接接触结构包括与单元插塞的下部设置在基本相同的高度的第一连接接触部以及与单元插塞的上部设置在基本相同的高度的第二连接接触部，第一连接接触部和第二连接接触部彼此接触所在的高度与单元插塞的上部和下部彼此接触所在的高度基本相同，并且第二连接接触部的最上部的高度高于源极层的底表面的高度并且低于源极层的顶表面的高度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置和制造半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628361A
申请号 ：
CN202110879733.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-08-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔殷硕
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110879733.7
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L27/11568 H01L27/11582 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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