半导体装置及半导体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：第一绝缘层；布线接触，其通过第一绝缘层彼此间隔开；以及接合布线，其连接到布线接触。每个布线接触包括在第一绝缘层中的基部和从第一绝缘层的内部向外部突出的突出部。布线接触的突出部与接合布线接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496984A
申请号 ：
CN202110591924.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-05-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李南宰
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110591924.3
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L27/11568 H01L27/11578 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20210528
申请日 : 20210528
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
