半导体装置及制造半导体装置的方法
公开
摘要
本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。本文可以提供的是一种半导体装置。该半导体装置可以包括：第一层叠体，其包括交替层叠的第一层叠绝缘层和第一层叠导电层；电容器插塞，其穿过第一层叠体；以及电容器多层式层，其被配置为围绕电容器插塞。电容器插塞可以包括金属。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及制造半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628359A
申请号 ：
CN202110849230.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-07-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔康植
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110849230.5
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L23/64 H01L27/11568 H01L27/11578 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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