半导体装置和半导体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：层叠体，其包括导电图案和绝缘图案；单元插塞，其穿过层叠体；半导体层；外围晶体管，其布置在半导体层上；第一导体，其将外围晶体管联接到单元插塞；第二导体，其联接到导电图案；通过插塞，其联接到第二导体；以及通过栅极，其围绕通过插塞，其中，通过栅极布置在与半导体层基本上相同的高度处。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置和半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446933A
申请号 ：
CN202110670810.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-06-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李南宰
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110670810.8
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L27/11568 H01L27/11578 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20210617
申请日 : 20210617
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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