半导体装置及制造半导体装置的方法
公开
摘要
半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种电子装置包括：第一衬底，其包括第一导电结构；第二衬底，其包括第二导电结构，其中所述第一衬底在所述第二衬底之上；第一电子组件，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间；竖直互连件，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间，其中所述竖直互连件与所述第一导电结构及所述第二导电结构耦合；以及囊封剂，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间且覆盖所述竖直互连件。所述第一电子组件上的竖直端口通过所述第一衬底的孔口暴露。本文中亦公开其它实例及相关方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及制造半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388476A
申请号 ：
CN202111184791.4
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周名佳翰古文林基泰朴东久易吉寒金进勇
申请人 ：
安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡市
代理机构 ：
北京寰华知识产权代理有限公司
代理人 ：
何尤玉
优先权 ：
CN202111184791.4
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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