半导体装置及半导体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
半导体装置100具有：不含有Al的III族氮化物的沟道层103；含有Al的III族氮化物的阻挡层104，设在沟道层103之上；凹槽106；以及欧姆电极108，设在凹槽106内，与二维电子气层105欧姆连接；与衬底101表面正交的第1方向上的阻挡层104的Al成分率分布在第1位置109具有极大点；在第1方向上，具有：阻挡层104的第1倾斜面110，包含第1位置109，与欧姆电极108相接；以及阻挡层104的第2倾斜面111，在第1倾斜面110的下方与第1倾斜面110交叉，与欧姆电极108相接；第2倾斜面111相对于衬底101表面的角度小于第1倾斜面110相对于衬底101表面的角度，第1方向上的第1交叉线114的位置比第1位置109靠下方。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114521293A
申请号 ：
CN202180005475.8
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-05-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
神田裕介宫岛贤一
申请人 ：
新唐科技日本株式会社
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
吕文卓
优先权 ：
CN202180005475.8
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335 H01L29/45
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20210524
申请日 : 20210524
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
