半导体装置以及半导体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，并包含体施主；第一导电型的缓冲区，其配置在半导体基板的下表面侧，并包含氢施主，并且半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布具有单个的第一掺杂浓度峰；第一导电型的高浓度区，其配置在缓冲区与半导体基板的上表面之间，并包含氢施主，并且施主浓度比体施主浓度高；第一导电型或第二导电型的下表面区，其配置在缓冲区与半导体基板的下表面之间，掺杂浓度比高浓度区的掺杂浓度高。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置以及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114467180A
申请号 ：
CN202180005478.1
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洼内源宜吉村尚泷下博内田美佐稀根本道生
申请人 ：
富士电机株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
周春燕
优先权 ：
CN202180005478.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739 H01L27/07 H01L21/331
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210401
申请日 : 20210401
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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