半导体器件及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
提供一种含Al金属膜上的抗反射膜和导电栓塞之间的接触性能优异的半导体器件以及导电栓塞，具有良好的制造稳定性。该半导体器件包括半导体衬底、绝缘中间层(101)以及多层结构。绝缘中间层(101)形成在半导体衬底的上部分中。多层结构设置在绝缘中间层(101)上。在多层结构上顺序地形成Ti膜(105)、TiN膜(107)、AlCu膜(109)、Ti膜(111)、TiN膜(113)以及刻蚀调整膜(115)。该半导体器件包括绝缘中间层(103)和导电栓塞。绝缘中间层(103)设置在绝缘中间层(101)和多层结构上。导电栓塞贯穿绝缘中间层(103)和刻蚀调整膜(115)，以及导电栓塞的端面位于TiN膜(113)中。导电栓塞包括Ti膜(117)、TiN膜(119)和W膜(121)。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763944A
申请号 ：
CN200510113360.3
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
盛一正成小西纲一
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
穆德骏
优先权 ：
CN200510113360.3
主分类号 ：
H01L23/52
IPC分类号 ：
H01L23/52 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
法律状态
2012-03-14 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101298328672
IPC(主分类) : H01L 23/52
专利申请号 : 2005101133603
公开日 : 20060426
号牌文件序号 : 101298328672
IPC(主分类) : H01L 23/52
专利申请号 : 2005101133603
公开日 : 20060426
2006-06-14 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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