二维磁矢量磁敏器件
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
本发明属于磁电转换的半导体器件，其结构如图1所示，在一个硅芯片的相互垂直的两个方向上，对称的布置四只长基区磁敏晶体管。这种器件有两个互相垂直的磁敏感方向，因此，可以检测二维磁矢量。用其做敏感元件的角度和方位角传感器是把角度或方位角等非电量转换成电信号的一种机电传感器，它与微机配合可以检测四象限角度和方位角，也可以完成直角坐标与极坐标模拟变换。这种传感器测角范围为2π、使用温度范围大，而且测角精度与环境温度无关。
基本信息
专利标题 ：
二维磁矢量磁敏器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85103006A
申请号 ：
CN85103006.8
公开（公告）日 ：
1986-10-08
申请日 ：
1985-04-11
授权号 ：
CN85103006B
授权日 ：
1988-06-15
发明人 ：
黄得星吴南健
申请人 ：
黑龙江大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路24号
代理机构 ：
黑龙江省专利服务中心
代理人 ：
阎德祥
优先权 ：
CN85103006.8
主分类号 ：
H01L27/22
IPC分类号 ：
H01L27/22 H01L27/20 H01L43/00
相关图片
法律状态
1991-08-07 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-09-27 ：
授权
1988-06-15 ：
审定
1987-02-04 ：
实质审查请求
1986-10-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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