一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺
授权
摘要
本发明公布了一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，涉及半导体和传感器加工技术领域，包括下料、成型、研磨减薄、填充合金液、单面研磨、单面抛光、清洗、测试变形量和粗糙度、二次清洗、微电子电路加工的加工步骤。本发明的目的是提供一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，设计科学，工艺完善，能够解决低量程芯片基底在研磨抛光过程中，金属基薄膜压敏芯片的敏感膜片容易变形的问题，能够避免敏感膜片在单面研磨和单面研磨的过程中发生变形，从而减少金属基薄膜压敏芯片的敏感膜片粗糙度和变形量。
基本信息
专利标题 ：
一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112720082A
申请号 ：
CN202011569445.3
公开（公告）日 ：
2021-04-30
申请日 ：
2020-12-26
授权号 ：
CN112720082B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
王国秋
申请人 ：
湖南启泰传感科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市浏阳市浏阳高新技术产业开发区鼎盛路22号
代理机构 ：
长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄宇
优先权 ：
CN202011569445.3
主分类号 ：
B24B1/00
IPC分类号 ：
B24B1/00 B22D19/00 B08B3/10 G01L9/08
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B1/00
磨削或抛光的工艺；与此工艺有关的所用辅助设备
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B24B 1/00
申请日 : 20201226
申请日 : 20201226
2021-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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