磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构。该磁性隧道结自由层包括沿第一方向顺序层叠的第一磁性复合层、反铁磁间隔结构和第二磁性复合层，在反铁磁间隔结构的作用下第一磁性复合层与第二磁性复合层呈反铁磁耦合，磁化方向相反。由于上述结构采用多层磁性复合层，在控制磁化方向垂直于薄膜界面的同时，增加磁性层的总体厚度，从而增大器件的数据保持能力。并且，为降低写入电流，上述结构使得不同的磁性复合层磁化方向相反，降低整体结构的总磁矩，从而降低写入电流，实现高的器件耐擦写能力。此外，该结构可获得较高的TMR，提高了数据读取速度。
基本信息
专利标题 ：
磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551716A
申请号 ：
CN202011349124.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
简红宫俊录孙一慧孟凡涛
申请人 ：
浙江驰拓科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市临安区青山湖街道励新路9号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王晓玲
优先权 ：
CN202011349124.2
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/02
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/08
申请日 : 20201126
申请日 : 20201126
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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