一种非铅铁电薄膜的低温制备方法
专利权的终止
摘要
本发明属于制备非铅系的铁电薄膜的制备方法技术领域。本发明所述的非铅铁电薄膜的制备方法是：将涂覆好的薄膜浸渍在90－350℃水热溶液中热处理10～30小时，然后溅射上电极即可。本发明所涉及的薄膜属非铅体系，如Ba(Zr，Ti)O3(BZT)、Ba(Ti，Sr)O3(BST)等，水热反应条件比较温和、能耗较低、适用性广，在水热环境中使薄膜的晶粒长大，可以通过对反应温度、时间和压力，溶液的组成以及溶液pH值等因素的调节有效的控制反应和晶体生长进程。由本发明所述的方法制备的铁电薄膜可用于制备非挥发性存储器、红外探测器件以及微波器件等。
基本信息
专利标题 ：
一种非铅铁电薄膜的低温制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1967749A
申请号 ：
CN200510110554.8
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
2005-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
翟继卫徐金宝
申请人 ：
同济大学
申请人地址 ：
200092上海市杨浦区四平路1239号
代理机构 ：
上海光华专利事务所
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN200510110554.8
主分类号 ：
H01F41/14
IPC分类号 ：
H01F41/14 C04B41/45
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F41/00
专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法；专用于制造磁性材料的设备或方法
H01F41/14
用于在基底上施加磁性膜
法律状态
2014-01-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101560122575
IPC(主分类) : H01F 41/14
专利号 : ZL2005101105548
申请日 : 20051118
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20121118
号牌文件序号 : 101560122575
IPC(主分类) : H01F 41/14
专利号 : ZL2005101105548
申请日 : 20051118
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20121118
2010-05-12 ：
授权
2007-07-18 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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