高TC超导薄膜材料低温合成方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及超导薄膜材料的制造方法。本发明用金属有机化学气相淀积法(MOCVD)。以挥发性金属有机化合物为源，采用射频或微波等离子体为激发源，形成金属有机化学气相淀积(MOCVD)过程。在低于400℃温度下，于衬底材料表面形成高TC超导氧化物薄膜材料。本发明方法可以在低温下直接合成高TC超导薄膜，不须经高温热处理。用本发明方法制造高TC超导薄膜材料，易于精确控制，淀积速率快，衬底材料广泛。制成的薄膜光亮平整，与衬底附着牢固而无明显的相互作用。
基本信息
专利标题 ：
高TC超导薄膜材料低温合成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1034449A
申请号 ：
CN88100403.0
公开（公告）日 ：
1989-08-02
申请日 ：
1988-01-20
授权号 ：
CN1013813B
授权日 ：
1991-09-04
发明人 ：
孟广耀彭定坤方起曹传宝
申请人 ：
中国科学技术大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市金寨路96号
代理机构 ：
中国科学院合肥专利事务所
代理人 ：
赵乌兰
优先权 ：
CN88100403.0
主分类号 ：
H01B12/06
IPC分类号 ：
H01B12/06 H01L39/12 H01L39/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
H01B12/02
按其形状区分的
H01B12/06
在基体上或线芯上的薄膜或线
法律状态
1993-11-17 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-05-27 ：
授权
1991-09-04 ：
审定
1989-08-02 ：
公开
1988-11-23 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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