电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法。通过控制蒸发条件，在氧分压5.0×10－2Pa，衬底温度100℃，电子枪电压－8.0kv等条件下，实现采用电子束蒸发低温高效无损伤制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜，薄膜材料的光学透过率为90％，电阻率为2.168×10－4Ω·cm，方块电阻为22Ω，厚度为100nm，霍尔系数为－4.55×10－2m2/v，迁移率为21.4cm2/v·s，其光电性能满足柔性太阳透明电极的需求，减小太阳电池串联电阻，提高输出效率。
基本信息
专利标题 ：
电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1818129A
申请号 ：
CN200610013295.1
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡宏琨齐龙茵赵飞冯凯张晓崔光龙陶科席强张德贤
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
300071天津市卫津路94号南开大学行政楼605专利和知识产权管理办公室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200610013295.1
主分类号 ：
C23C14/30
IPC分类号 ：
C23C14/30 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
2012-05-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101250116728
IPC(主分类) : C23C 14/30
专利号 : ZL2006100132951
申请日 : 20060314
授权公告日 : 20081112
终止日期 : 20110314
号牌文件序号 : 101250116728
IPC(主分类) : C23C 14/30
专利号 : ZL2006100132951
申请日 : 20060314
授权公告日 : 20081112
终止日期 : 20110314
2008-11-12 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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