控制锆钛酸铅铁电薄膜择优取向的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明是提供一种修正的溶胶－凝胶技术，通过不同技术控制锆钛酸铅铁电薄膜的取向程度，探索制备具有高度择优取向钙钛矿结构铁电薄膜的方法。本发明：(1)通过不同的预处理方法，即常规热处理和快速热处理，可以得到程度不同的择优取向。(2)选用不同工艺制备的Pt/Ti底电极，即直流溅射和真空蒸发，可以得到程度不同的择优取向。(3)采用不同的衬底结构来控制锆钛酸铅铁电薄膜的择优取向方向。即在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上的锆钛酸铅铁电薄膜以(110)方向择优取向；在LNO(100)/Si和LNO/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的铁电薄膜以(100)方向择优取向。
基本信息
专利标题 ：
控制锆钛酸铅铁电薄膜择优取向的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779926A
申请号 ：
CN200510094796.2
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李建康闫仕农
申请人 ：
苏州科技学院
申请人地址 ：
215011江苏省苏州市滨河路1701号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510094796.2
主分类号 ：
H01L21/316
IPC分类号 ：
H01L21/316 H01L21/8239 H01L21/8247 H01L21/02 H01L21/00 C01G23/00 C01G25/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/316
由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
法律状态
2008-07-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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