一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用
授权
摘要
本发明公开了一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用。该薄膜是在掺铌钛酸锶基底上外延生长的大面积高质量的锆钛酸铅单晶薄膜，具有面积接近cm2级别的宏观尺寸，厚度可达微米级，且在铁电极化方向上锆离子和钛离子比例呈梯度变化。该单晶锆钛酸铅薄膜是通过将共沉淀反应和水热反应结合，在远低于居里温度的环境中制备得到的，工艺过程简单、可控，成本低，易于规模化生产，在铁电存储器、热释电传感器和电光探测器等领域具有广泛的潜在应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113249789A
申请号 ：
CN202110532288.7
公开（公告）日 ：
2021-08-13
申请日 ：
2021-05-17
授权号 ：
CN113249789B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
韩高荣林宸任召辉陈嘉璐周迪逵曹海文
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州星河慧专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周丽娟
优先权 ：
CN202110532288.7
主分类号 ：
C30B29/32
IPC分类号 ：
C30B29/32 C30B19/00 C30B19/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/32
钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-08-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/32
申请日 : 20210517
申请日 : 20210517
2021-08-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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