一种图案化单晶钙钛矿阵列薄膜的制备方法与应用
实质审查的生效
摘要
本发明属于图案化阵列薄膜制备技术领域，具体涉及一种图案化单晶钙钛矿阵列薄膜的制备方法与应用，基于分子外延定位生长。本发明使用NH2‑CH2CH2‑SH分子修饰整列化的图形电极，用以辅助定位外延生长单晶钙钛矿薄膜，并通过空间限制技生长超薄的单晶钙钛矿薄膜，实现了单晶钙钛矿阵列电极薄膜术的精确定位生长、阵列化和图形化，极大发挥了钙钛矿材料的优越的光学性能；对甲氨基卤化物钙钛矿体系的片上集成光电功能性器件研究扩展了思路，进一步为生产高性能精度、便携易加工和应用性好的阵列光电探测器以及片上集成光源提供了方法和科学依据，促进了光电探测器和片上集成光电设备的进一步发展。
基本信息
专利标题 ：
一种图案化单晶钙钛矿阵列薄膜的制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447231A
申请号 ：
CN202111345488.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭波周红梅
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
闫树平
优先权 ：
CN202111345488.8
主分类号 ：
H01L51/48
IPC分类号 ：
H01L51/48 H01L51/42 H01L51/44
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/48
申请日 : 20211115
申请日 : 20211115
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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