可与读出电路集成的锆钛酸铅铁电簿膜材料的制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种可与读出电路集成的锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法，该方法是通过低温原位磁控溅射生长，然后，进行高压低温处理而实现的。本发明方法的最大优点是：在400℃的低温下，可以得到高度(100)取向的纯钙钛矿相PZT薄膜，并具有很好的铁电性；重复性好，整个制备和处理温度在450℃以下，能直接沉积在读出电路上，和铁电微器件的单片集成工艺相兼容。
基本信息
专利标题 ：
可与读出电路集成的锆钛酸铅铁电簿膜材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779923A
申请号 ：
CN200510029985.1
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
褚君浩张晓东孟祥建孙璟兰林铁
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
200083上海市玉田路500号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
郭英
优先权 ：
CN200510029985.1
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 H01L21/314 H01L21/3105 C23C14/00 C23C14/34 C23C14/54 C23C14/58
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2008-01-30 ：
授权
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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