FinFET结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种FinFET结构及其制备方法，通过热氧化处理工艺，使FinFET源/漏结构角部倒圆，呈椭圆形或圆柱形，实现了无空穴的PMD沉积，分别提高了SiC和SiGe鳍片中C和Ge的浓度，增大了沟道应力，提高了沟道载流子迁移率，并且由于源/漏结与衬底隔离，减少了源/漏结的漏电流，因此改善了FinFET器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
FinFET结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284212A
申请号 ：
CN202110615572.0
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-06-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
肖德元
申请人 ：
青岛昇瑞光电科技有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市黄岛区山王河路1088号
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高园园
优先权 ：
CN202110615572.0
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092 H01L29/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20210602
申请日 : 20210602
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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