具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极晶体管
实质审查的生效
摘要
本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极晶体管(HBT)及其制造方法。该结构包括：第一异质结双极晶体管；第二异质结双极晶体管；以及嵌入在第一异质结双极晶体管和第二异质结双极晶体管两者下方的衬底内的富陷阱隔离区。
基本信息
专利标题 ：
具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388498A
申请号 ：
CN202110960025.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-08-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
V·贾因J·J·埃利斯-莫纳甘A·K·斯塔珀S·M·尚克J·J·派卡里克
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
林莹莹
优先权 ：
CN202110960025.6
主分类号 ：
H01L27/082
IPC分类号 ：
H01L27/082 H01L21/763 H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/082
只包含双极型的组件
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/082
申请日 : 20210820
申请日 : 20210820
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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