具有二极管隔离的堆栈式纳米片场效应晶体管

授权

摘要

本发明揭露具有二极管隔离的堆栈式纳米片场效应晶体管，涉及场效应晶体管的结构及涉及场效应晶体管的结构的形成方法。提供具有第一导电类型的衬底。在该衬底上形成具有第二导电类型的第一半导体层。在该第一半导体层上形成具有第一导电类型的第二半导体层。形成场效应晶体管，其包括在该第二半导体层上的垂直堆栈中配置有多个纳米片通道层的鳍片、以及绕着该等纳米片通道层环绕的栅极结构。该第一半导体层与该衬底的一部分界定第一p‑n接面，并且该第二半导体层与该第一半导体层界定第二p‑n接面。该第一p‑n接面及该第二p‑n接面配置成与该栅极结构及该等纳米片通道层垂直对准。

基本信息

专利标题：

具有二极管隔离的堆栈式纳米片场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108695230A

申请号：

CN201810288229.8

公开（公告）日：

2018-10-23

申请日：

2018-04-03

授权号：

CN108695230B

授权日：

2022-05-24

发明人：

臧辉李在坤

申请人：

格芯公司

申请人地址：

英属开曼群岛大开曼岛

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司

代理人：

程伟

优先权：

CN201810288229.8

主分类号：

H01L21/76

IPC分类号：

H01L21/76 H01L29/78 H01L27/06

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/71

限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造

H01L21/76

组件间隔离区的制作

法律状态

2022-05-24 ：

授权

2021-03-19 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/76
登记生效日 : 20210308
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯(美国)集成电路科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 英属开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州

2018-11-16 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/76
申请日 : 20180403

2018-10-23 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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