半导体装置的制造装置及制造方法
实质审查的生效
摘要
半导体装置的制造装置的特征在于包括：载台(12)；接合头(14)，具有安装工具(20)、搭载于所述安装工具(20)的工具加热器(26)以及使所述安装工具(20)在铅垂方向上移动的升降机构；以及控制器(16)，进行接合处理，并且所述控制器(16)在所述接合处理中包括：第一处理，在使所述芯片(100)着落到所述基板(110)后，开始所述芯片(100)的加热，同时对所述芯片向所述基板进行加压；变形消除处理，在所述第一处理后且凸块(104)的熔融前，通过在上升方向上驱动所述升降机构而消除所述接合头(14)的变形；以及第二处理，在所述变形消除处理后，通过以使所述接合头(14)的热膨缩抵消的方式对所述升降机构进行位置控制，从而将间隙量G保持为规定的目标值。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造装置及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342052A
申请号 ：
CN202080040527.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-08-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高桥诚
申请人 ：
株式会社新川
申请人地址 ：
日本东京武藏村山市伊奈平二丁目51番地之1(邮递区号:208-8585)
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
王蕊
优先权 ：
CN202080040527.0
主分类号 ：
H01L21/603
IPC分类号 ：
H01L21/603
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
H01L21/603
包括运用压力的，例如热压黏结
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/603
申请日 : 20200807
申请日 : 20200807
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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