一种旋转磁体圆柱溅射靶
授权
摘要
本实用新型提供一种旋转磁体圆柱溅射靶，涉及溅射靶技术领域，包括安装块、靶子和安装装置，靶子位于安装块的正上方，安装装置位于安装块的上端设置，安装装置包括支撑块，支撑块的下端与安装块上端相抵，支撑块的上端插设有紧固螺丝，紧固螺丝贯穿支撑块，紧固螺丝插入安装块中并与其内壁螺纹连接，支撑块远离安装块的一端依次固定连接有定位环和紧固环，靶子依次贯穿定位环和紧固环。在安装时，将靶子插入定位环和紧固环中，调整好靶子的位置后，转动固定螺栓，固定螺栓将紧固环夹紧，紧固环通过防护圈将靶子固定住，便捷将靶子固定住，避免传统在安装靶子时需使用大量工具。
基本信息
专利标题 ：
一种旋转磁体圆柱溅射靶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020673979.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-27
授权号 ：
CN211947205U
授权日 ：
2020-11-17
发明人 ：
张彬
申请人 ：
遵化市富森钛金设备有限公司
申请人地址 ：
河北省唐山市遵化市经济开发区龙山工业园
代理机构 ：
北京化育知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹均利
优先权 ：
CN202020673979.X
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2020-11-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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