一种Halbach永磁体结构的磁控溅射靶枪
授权
摘要
本发明公开了一种Halbach永磁体结构的磁控溅射靶枪，包括水冷部件、磁靶基座、绝缘陶瓷板、磁靶和靶罩；所述基座安装在水冷头上，所述磁靶放置在所述基座上，所述绝缘板安装在所述基座与所述磁靶之间，所述靶罩套在磁靶外面，作为溅射高压阴极，并起到防止靶材和磁靶污染的作用；所述磁靶基座由高导热率的无氧铜加工而成，在所述磁靶基座内设有容纳磁铁组的凹槽，起到固定和冷却磁靶的作用；磁靶是由一个轴向磁化的环状永磁体、一个径向磁化环状或组合环状永磁体和一个轴向磁化圆柱型永磁体按照哈尔巴赫阵列结构排列的永磁体组；所述哈尔巴赫永磁铁组放置在所述磁靶基座的凹槽内，所述靶材置于所述永磁体组上方。
基本信息
专利标题 ：
一种Halbach永磁体结构的磁控溅射靶枪
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112831762A
申请号 ：
CN202011313333.1
公开（公告）日 ：
2021-05-25
申请日 ：
2020-11-20
授权号 ：
CN112831762B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
陈丽娜刘荣华都有为
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈建和
优先权 ：
CN202011313333.1
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 H01F41/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-06-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20201120
申请日 : 20201120
2021-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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