防气体混杂的多靶位磁控溅射镀膜机改进结构
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种防气体混杂的多靶位磁控溅射镀膜机改进结构,包括箱体、放料盘、收料盘、镀膜保护罩、转轴、四组靶材组件和若干个隔离挡板,镀膜保护罩设于箱体内部上方,放料盘、收料盘设于箱体内部下方且位于镀膜保护罩两侧,转轴设于镀膜保护罩内部正中处,膜材从放料盘引出并绕过转轴后系挂在收料盘上,四组靶材组件均匀分布设置在镀膜保护罩内,若干个隔离挡板都卡设在镀膜保护罩内且位于靶材组件两侧;不同靶材通过挡板隔离防止气体混杂,可多靶位同时镀膜,生产效率高,相互之间互不影响镀膜效果好,产品质量高良品率高,材料浪费少材料成本低。
基本信息
专利标题 :
防气体混杂的多靶位磁控溅射镀膜机改进结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920945707.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-22
授权号 :
CN210176941U
授权日 :
2020-03-24
发明人 :
丁磊李晓哲
申请人 :
厦门玉通光电有限公司
申请人地址 :
福建省厦门市海沧区新阳街道阳光路10号生产车间二一楼之一
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201920945707.8
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2022-06-07 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20190622
授权公告日 : 20200324
终止日期 : 20210622
申请日 : 20190622
授权公告日 : 20200324
终止日期 : 20210622
2020-03-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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