高真空多靶磁控溅射方法和装置
专利申请的视为撤回
摘要
高真空多靶磁控溅射方法和装置，涉及到等离子体薄膜沉积技术。本发明由增加的微波等离子体源产生等离子体，并输运到1—4个磁控溅射阴极表面，由加到靶片上的直流或高频溅射电压，吸引等离子体中的正离子轰击靶片起溅射作用。本发明在本底真空10-3—10-8Pa，工作真空10-2—10-3Pa，磁控溅射阴极通以0—4kV溅射电压时，可以制作出高性能的半导体、金属或陶瓷的纳米(10-9米)超薄膜或超晶格薄膜。
基本信息
专利标题 ：
高真空多靶磁控溅射方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1087130A
申请号 ：
CN92111981.X
公开（公告）日 ：
1994-05-25
申请日 ：
1992-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭华聪
申请人 ：
四川大学
申请人地址 ：
610064四川省成都市九眼桥
代理机构 ：
四川大学专利事务所
代理人 ：
刘金蓉
优先权 ：
CN92111981.X
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
1996-03-06 ：
专利申请的视为撤回
1994-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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