一种对置靶座磁控溅射装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种对置靶座磁控溅射装置，包括箱体、密封门，密封门与箱体通过合页活动连接；箱体的内部安装有固定机构，固定机构包括固定板、弧形固定架，固定板呈水平安装在箱体的内部，弧形固定架呈垂直安装在固定板的顶部中间位置，箱体的内底部和内顶部均安装有两个相同的固定机构，通过设置的固定机构来安装待磁控溅射镀膜型材以及靶座，灵活性和适应性强，固定板的底部四角安装有四根底柱，固定板的表面设有贯通的螺纹孔A，且螺纹孔A呈等距分布，通过设置的底柱将固定板与箱体之间形成间隔，具有方便对待磁控溅射镀膜的材质进行安装，安装位置多，遮挡靶座灵活度高且易于调节等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种对置靶座磁控溅射装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920949602.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-24
授权号 ：
CN210341046U
授权日 ：
2020-04-17
发明人 ：
王文华李曼杨延远孟红军侯红明韩照亮
申请人 ：
山东天厚新材料科技有限公司
申请人地址 ：
山东省菏泽市开发区黄河东路三里河社区南三里河工业园
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920949602.X
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-04-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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