可调式对向磁控溅射源
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种磁控溅射源,涉及材料的金属涂层领域。其包括一对对向放置的靶、极靴、电磁线圈及阳极屏蔽罩等部分。各个靶分别加连续可调的电压,以获得不同的溅射速率。电磁线圈加连续可调的激磁电流,在两靶间形成垂直于靶面的磁场。对向放置的两靶间可插入补偿靶。本发明可方便地调节所得薄膜的成分,可应用于磁性材料,特别是超导薄膜特定合金成分薄膜的制备。
基本信息
专利标题 :
可调式对向磁控溅射源
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1039070A
申请号 :
CN88103800.8
公开(公告)日 :
1990-01-24
申请日 :
1988-06-28
授权号 :
CN1023653C
授权日 :
1994-02-02
发明人 :
张云汉唐希源刘利民
申请人 :
中国科学院北京真空物理实验室;北京联合大学机械工程学院
申请人地址 :
北京市海淀区中关村
代理机构 :
中国科学院专利事务所
代理人 :
关玲
优先权 :
CN88103800.8
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
1995-08-23 :
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-02-02 :
授权
1991-04-24 :
实质审查请求已生效的专利申请
1990-01-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载