用于生产涂覆的基板的方法
授权
摘要
本发明涉及一种用于在真空室中生产具有介电涂层材料的等离子体涂覆的表面的基板的方法,该真空室具有用交流电操作的等离子体装置,该方法包含:借助于移动装置沿着曲线相对于该等离子体装置来移动基板,且借助于该等离子体装置沿着位于该基板的表面上的轨迹,在涂层区中将涂层材料沉积于该基板的该表面上。在此设计以下方面:a)确定在该基板的移动方向上的该轨迹的至少部分上的所沉积涂层材料的层厚度的实际值,b)比较该轨迹的该至少部分上的该层厚度的该实际值与额定值,c)确定该等离子体装置的参数以用于取决于该基板的位置来改变每单位时间所沉积的涂层材料的量,使得所沉积的涂层材料的该层厚度的该实际值与该额定值偏离小于预定差,d)根据项目c)来设定该等离子体装置的参数以用于改变每单位时间所沉积的涂层材料的量,和e)借助于该等
基本信息
专利标题 :
用于生产涂覆的基板的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN107532290A
申请号 :
CN201680024331.6
公开(公告)日 :
2018-01-02
申请日 :
2016-03-31
授权号 :
CN107532290B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
J·皮斯特纳H·哈格多恩
申请人 :
布勒阿尔策瑙股份有限公司
申请人地址 :
德国阿尔策瑙
代理机构 :
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 :
郭广迅
优先权 :
CN201680024331.6
主分类号 :
C23C14/54
IPC分类号 :
C23C14/54 C23C14/35
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/54
镀覆工艺的控制或调节
法律状态
2022-04-01 :
授权
2018-01-26 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/54
申请日 : 20160331
申请日 : 20160331
2018-01-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN107532290A.PDF
PDF下载